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“HVPE法成长GaN自支撑衬底项目”落户德泓

来源:http://www.whtwbbj.com 责任编辑:ag88环亚 2018-09-12 21:19

  “HVPE法成长GaN自支撑衬底项目”落户德泓

  近来,中国科学院上海微体系与信息技能研讨所与德泓(福建)光电科技有限公司正式签定《技能转让合同》和《技能开发协议书》,中国科学院上海微体系与信息技能研讨所HVPE法成长GaN衬底技能的一切知识产权,包含与此相关的已授权和正在请求的专利以及两边认可的关键技能悉数转让给德泓光电;两边还就协作展开HVPE法成长GaN自支撑衬底项目事宜达到共同。

  以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体资料是近十几年来国际上倍受注重的新式半导体资料,在白光LED、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器材中具有广泛的使用远景。中国科学院上海微体系与信息技能研讨所于广辉研讨员通过8年的研讨,共取得相关发明专利授权11项,还有3项已受理发明专利正在检查之中。多项技能处于国际先进水平。这些关键技能的使用,能够大大下降GaN衬底资料的本钱。

  于广辉研讨员通知记者,此项研讨成果一旦产业化,将大大下降大功率LED用GaN同质衬底本钱,大大提高LED照明产品的性价比和归纳优势,对推行并遍及LED照明产品具有深远的含义。据德泓光电王勤荣总司理介绍,往后两年,两边将协作展开HVPE法成长GaN自支撑衬底项目,安排项目的施行、推行,构成产业化。

  

  

   LED照明大功率LEDLED产品

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